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产品世界

晶圆双面研磨机生产效率

2022-06-01T07:06:39+00:00
  • 行业观察 半导体制造中的“刮骨疗毒”术——晶圆减薄工艺 知乎

    2023年11月15日  选取合适的晶圆:选择晶圆时需要根据生产要求和成本考虑,一般选择经过初步清洗和检验合格的单晶硅圆盘。 2 磨削:采用机械研磨、化学机械研磨等方法, 2023年8月2日  减薄晶圆的机械背面研磨是常用的减薄方法之一,其基本流程包括以下几个步骤: 1 选取研磨机和研磨轮 选择适用的研磨机和研磨轮是首要任务。 一般选取刚性 晶圆减薄工艺小结机械背面研磨和抛光工艺及设备 知乎2022年3月7日  双面研磨机设备介绍 优点: 双面研磨机具有许多优点,包括: 高精度:能够实现极高的加工精度,通常在亚微米级别。高生产效率:能够同时磨削工件的两个面, 双面研磨机谁懂? 知乎

  • 双面精研机百度百科

    2022年10月11日  双面精研机,也称为双面研磨机。 主要用于硅片、石英晶体、玻璃、陶瓷、蓝宝石、砷化镓、铌酸锂等零件的精研双面加工,也适用于阀板、阀片、光导纤维、 2021年11月24日  在分析国内双面抛光机典型机型原理和特点的基础上,针对运用于大尺寸甚至是直径400 mm的硅晶片,提出高精度双面研磨抛光机在机械结构和控制系统等方面 高精度大尺寸硅晶片的双面研磨抛光机改进设计真空技术 2021年12月22日  双端面研磨机 效率低的因素有哪些?主要有以下3点:针对于研磨过程中效率低的因素有很多情况,着重给大家分享一下主要的几点影响因素! 1、选用合理行星 双端面研磨机设备效率低因素有哪些? 知乎专栏

  • 精密双面研磨机是否压力越大研磨的效率越快 知乎

    2022年8月19日  精密双面研磨机是否压力越大研磨的效率越快 精密研磨机的研磨压力越大,研磨压力大则切削量也变大,自然而然精密研磨机的工作效率有所提高;其次,精密研磨机的工作效率也关乎到研磨速度,毫无 双面研磨抛光机 产品功能: 本机主要用于压电晶体、化合物半导体、矽晶体、光学玻璃、陶瓷片、金属材料及其他硬脆性材料的高精度、高效率的双面研磨工作。 产品优点: 整 双面研磨抛光机 多米诺自动化科技股份有限公司 2021年12月22日  MB43100B双面研磨机技术规格参数 双面研磨机厂家生产的设备主要用于工件的加工,精度高、效率高;液压气动元件、液压马达部件、骑车转向泵零部件、制冷压缩机零部件、油泵油嘴零部件、发动机 MB43100双端面研磨机技术规格参数 知乎

  • 半导体工艺(一)晶圆制造 三星半导体官网 Samsung

    2022年2月11日  和平坦区晶圆相比,凹槽晶圆可以制造更多的晶粒,因此效率很高。 半导体产业包括生产晶圆的晶圆产业以及以晶圆为材料设计和制造的晶圆加工产业——制造行业 (Fabrication, FAB)。另外,还有组装产业,它将 加工过的晶圆切割成晶粒,并包装好以防止受潮 2021年9月3日  半导体设备之CMP 国产装备已经在国内CMP市场占据重要份额。 晶圆制造过程主要包括7个相互独立的工艺流程:光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化。 作为晶圆制造的关键制程工艺之一,化学机械抛光 (CMP)指的是通过化学腐 半导体设备之CMP 知乎2021年9月24日  特 点 1. 本系列研磨机的上、下研磨盘可进行自动修盘。 2. 采用四个电机同步拖动,变速范围更广,运动精度更高,响应速度更快,能适应不同研磨材料及研磨工艺的要求,实现了软启动、软停止,调速稳定,冲击小。 3. 修面机采用伺服马达驱动,能 FD9BL双面研磨机(带修面) 双面研磨机系列 方达研磨设备厂家

  • 双面研磨机谁懂? 知乎

    2022年3月7日  双面研磨机设备介绍 优点: 双面研磨机具有许多优点,包括: 高精度:能够实现极高的加工精度,通常在亚微米级别。高生产效率:能够同时磨削工件的两个面,提高了生产效率。一致性:通过数控系统的精确控制,确保每个工件的端面一致性。2022年8月7日  对于晶圆减薄工艺做部分补充,这里主要针对的是晶圆背面减薄工艺部分。为什么要减薄?在后道制程阶段,晶圆(正面已布好电路的硅片)在后续划片、压焊和封装之前需要进行背面减薄(backthinning)加工以降低封装贴装高度,减小芯片封装体积,改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及 半导体工艺晶圆减薄工艺 知乎2020年8月19日  自动化控制设备通过专用药剂可在十几秒到两内达到电镀镜面效果,大大提高了生产效率 ;5 抛光质量好 自动化控制设备抛光出的产品具有高品质,精度控制极高,尺寸影响小,抛光均匀,使整个工件表面和死角部位都可以达到一致的镜面 【干货】四大抛光工艺优劣势对比,你了解多少? 知乎专栏

  • 晶圆背面研磨(Back Grinding)工艺简介 知乎

    2023年5月25日  经过前端工艺处理并通过晶圆测试的晶圆将从背面研磨(Back Grinding)开始后端处理。 背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序,其目的不仅是为了减少晶圆厚度,还在于联结前端和后端工艺以解决前后两个工艺之间出现的问题。 半导体芯片(Chip)越薄,就能 2021年8月30日  对CMP设备而言,其产业化关键指标包括工艺一致性、生产效率、可靠性等,CMP 设备的主要检测参数包括研磨速率、研磨均匀性和缺陷量。 (1)研磨速率:单位时间内晶圆表面材料被研磨的总量。 (2)研磨均匀性:分为片内均匀性和片间均匀性。央财智库:半导体设备行业专题报告,CMP,“小而美”,国产 2021年8月24日  对CMP设备而言,其产业化关键指标包括工艺一致性、生产效率、可靠性等,CMP 设备的主要检测参数包括研磨速率、研磨均匀性和缺陷量。(1)研磨速率:单位时间内晶圆表面材料被研磨的总量。(2)研磨均匀性:分为片内均匀性和片间均匀性。半导体设备行业专题报告:CMP,“小而美”,国产装备崛起

  • 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎

    2021年12月16日  针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。 1、背景与意义 作为半导体产业中的衬底材料,碳化硅单晶具有优 2023年8月25日  大族半导体DA100是基于Ablation工艺原理进行晶圆切割分离的系统,本系列设备是针对多行业不同特点,优化开发的高兼容性激光表面切割系统,可进行不同 大族半导体:高端晶圆激光切割设备实现核心部件100%国产 双面研磨工艺投资小,主要针对8英寸硅片,可批量研磨,提高生产效率。 目前双面研磨工艺中使用的磨盘主要为铸铁盘,使用铁盘容易对晶片的主面造成伤痕或污染,由于引入大量的金属离子和机械应力的损伤层大,晶片的后续工序(腐蚀)加工量大,腐蚀时间长,加工损耗大,硅片利用率相对较 半导体硅片的研磨方法与流程 X技术网

  • 自动上下料双面研磨机设备 知乎

    2021年12月21日  自动上下料双面研磨机设备 1、机械手全自动研磨机为超高精密研磨设备,上、下研磨盘作相反方向转动,工件在载体内作既公转又自转的游星运动。 自动上下料双面研磨机设备 磨削阻力小不损伤工件,而且两面均匀磨削生产效率高。 2、机械手全自动研 2023年3月2日  晶圆制造环节:DISCO 表面平坦机是通过金刚石刨刀进行刨削加工,实现对延展性 材料(Au、Cu、焊锡等),树脂(光刻胶,聚酰亚胺等),以及其他复合材料的高精 度平坦化,可替代 CMP 的部分工序,提高生产效率及降低成本。半导体行业专题研究报告:半导体切磨抛装备材料的国产化趋势2021年10月18日  护胶带,然后用磨轮和抛光材料对晶圆背面进行研磨。由于半导体材料用晶圆越来越薄,传统的研磨机已经 不能满足使用要求。Accretech 的PG系列可以抛光超薄晶圆,和RM系统的 连接,可以在下料时给晶圆背面自动贴上切割胶带。4 3 2 ***ー减薄研磨机 ACCRETECH

  • 关注半导体设备:边缘抛光机以日本为主,表面抛光还看宇晶

    2020年4月21日  由于化学机械抛光工艺加工效率较低、加工成本较高,在实际作业 中通常直径小于200mm的硅片通常是在研磨片的基础上对硅片一面进行抛光,在制造工艺上一般采用多片单面抛光机加工,即在一个抛光台上采用多抛光头同时抛光,以提高抛光效率 2021年12月22日  双端面研磨机 效率低的因素有哪些? 主要有以下3点: 针对于研磨过程中效率低的因素有很多情况,着重给大家分享一下主要的几点影响因素! 1、选用合理行星轮(工装),正确摆放工件; 2、合理选用砂轮硬度,不同的砂轮硬度,研磨效率也会有所影响 双端面研磨机设备效率低因素有哪些? 知乎专栏2020年6月16日  半导体制造之设备篇 半导体需要的设备比较繁杂,在晶圆制造中,由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作,是芯片前端加工过程的三大核心技术,其设备价值也最高,但半导体制造设备远远不止这些,本文将一一比较国产化 半导体制造之设备篇:国产、进口设备大对比 知乎

  • 双面研磨机结构分析与盘面修整工艺的研究 豆丁网

    2015年5月6日  双面研磨加工原理图采用两个平行平面同时进行研磨加工其特点主要有:效率要比分别研磨加工两个平面高很多;去除由切片过程中引起的切痕和凹凸不平;能够得到较好的平行度;改善表面平整度。 为了达到较高的加工质量,如2英寸的蓝宝石片其TTV 2021年12月12日  目前使用得最普遍的是行星式磨片法。采用双面磨片机,有上下两块磨板,中间放置行星片,硅片就放在行星片的孔内。磨片时,磨盘不转动,内齿轮和中心齿轮转动,使行星片与磨盘之间做行星式运动,以带动硅片做行星式运动,在磨料的作用下达到研磨的 晶圆的制备④硅片研磨加工丨半导体行业2022年4月1日  公司也是国内少数有能力生产双面抛光设备的企业之一,产品可以对标国内市占率处垄断地位的德国双面抛光加工设备。 公 司边缘抛光机的晶片全自动上下料技术、晶片吸附面印记消除技术、离心旋转抛光 晶盛机电研究报告:晶体生长设备龙头,碳化硅培育增

  • 【小知识】芯片制造01之晶圆加工 知乎

    2020年4月17日  四、 研磨 硅片研磨目的是为了去除表面的刀痕;消除损伤层;提高平整度,使wafer薄厚均匀;增加表面平坦度等。现阶段的研磨方式分为双面研磨和表面磨削,其中双面研磨是指利用游轮片将硅片置于双面研磨机中的上下磨盘(磨板)之间,加入相宜的液体研磨料,使硅片随着磨盘作相对的行星 产品详情 从研磨到超级抛光,我们所有的机器都能根据您的规格生成高精度表面。 您需要在金属、玻璃、陶瓷、晶体、晶圆等材料上生成高平整度的单面或双面、非常精细的粗糙度、高产量,我们都有适合您应用的机器和工艺。 我们设计和制造用于对硬质 高精密双面研磨抛光机苏州铼铂机电科技有限公司2023年4月14日  一、晶圆划片机工作原理 晶圆划片机主要是切割和分离晶圆上的每个芯片。 首先在晶圆背面粘上一层胶带,然后送入晶圆切割机进行切割。 切割后,模具将有序排列并粘附在胶带上。 同时,框架的支撑可以防止因胶带起皱而导致模具碰撞,有利于搬运过程 什么是晶圆切割?晶圆划片机工艺简介 知乎

  • 晶盛机电:半导体产业链及公司在产业链中所处的位置与地位

    2022年3月1日  5SWS 系列金刚线切片机: 先进的金刚线切割工艺,在满足同等的切片精度参数下可大幅提高加工效率及减少硅耗。 (如下图) 6DLM系列双面研磨机:精密双面研磨机主要适用于硅片等衬底片的双面精密研磨。可加工 8~12 英寸的硅片,加工效率快,精度高。2023年3月21日  UV膜 与蓝膜的区别 晶圆在划片之前,会在晶圆的背面粘上一层膜,该层膜的作用是将芯片粘在膜上,可以保持晶粒在切割过程中的完整,减少切割过程中所产生的崩碎、位移和掉落等问题。 实际生产中,用于固定wafer和芯片的膜,一般使用UV膜或蓝膜。 关于切割芯片的划片工艺可以详细解释一下吗? 知乎2018年3月1日  我们生产双面研磨机大概有20年之久,精度及效率都是有优势。单面研磨机 的工作原理: 将被磨、抛材料放于 研磨盘 上,研磨盘逆时钟转动,修正轮带动工件自转,重力加压 的方式对工件施压,工件与研磨盘作 相对运转 磨擦,来达到 研磨抛光 目的。 。 研磨盘修整机构采用油压悬浮导轨前后 能推荐一下,国内比较有规模的研磨机设备厂吗,有没有联系

  • 半导体设备行业深度报告:国产突破正加速,迎来中长期投资

    2020年5月10日  在芯片生产过程中,过程 控制设备要对经过每一道工艺的晶圆进行无损的定量测量和检查,以保证工艺的关键物理参数(如薄膜厚 度、电阻、掺杂 2023年11月25日  公司成立20年,专业生产双端面研磨机及高精密装备的研究开发和制造,专业制造单双面研磨机及研磨抛光机设备厂家。 单双面研磨机适用于各种材质的机械密封环、陶瓷片、阀片、摩擦片、刀片、铜件、铝合金、轴承套圈、钢件、塑料、铸铁、活塞环、滚子定子、合金钢、油泵叶片轴承端面及硅 立式双端面磨床精研双面研磨机研磨抛光机河南新乡生产 2018年8月27日  晶圆(wafer) 是制造半导体器件的基础性原材料。 极高纯度的半导体经过拉晶、切片等工序制备成为晶圆,晶圆经过一系列半导体制造工艺形成极微小的电路结构,再经切割、封装、测试成为芯片,广泛应用到各类电子设备当中。 晶圆材料经历了 60 余年的 大科普:最全面的半导体晶圆工艺介绍电子工程世界

  • 磨床与双面研磨机区别有哪些? 知乎

    2021年12月22日  磨床是一种横向面往复运行的设备,那么双面研磨机械设备是一种、上下面同时研磨工件的设备,运行轨迹是八字形研磨抛光,所以精度特别高,平面特点均匀。 磨床与双面研磨机区别有哪些? 磨床和 2022年12月9日  什么是晶圆研磨机?晶圆研磨机是一种专门用于生产半导体晶圆的设备,主要用于生产高品质的硅晶圆,以及各种规格的硅晶圆。 目前市场上常见的晶圆研磨机有三种,分别为抛光机、磨床和砂轮机。下面我们一起来看看这三种不同类型的晶圆研磨机各有什么 什么是晶圆研磨机?不同类型的晶圆研磨机各有什么优点?特 2023年3月2日  在光伏设备领域,晶盛机电是国内技术、规模双领先的光伏设备供应商,产品体系较为 齐全,包括全自动单晶炉、滚圆磨面一体机、截断机、切片机、叠瓦自动化生产线等。 晶盛机电持续技术迭代,推出 5 晶盛机电研究报告:装备与材料持续拓展,打造泛半导

  • 单晶硅片超精密磨削技术与设备 豆丁网

    2015年10月12日  南京理工大学机械工程学院副教授。 单晶硅片超精密磨削技术与设备郭东明大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,大连,摘要:结合单晶硅片的发展,回顾了单晶硅片超精密磨削技术与设备的发展历程,对比分析了广泛应用的转台式磨削、 2023年12月4日  深圳海德精机是一家集平面研磨机、平面抛光机、单双面研磨机为一体的生产厂家,24小时服务热线:;为客户提供研磨抛光耗材采购批发和平面研磨加工、镜面抛光等服务;平面研磨机价格优惠中,抛光加工可免费打样。平面研磨机双面研磨机平面抛光机深圳市海德精密机械 2023年8月22日  据Clean Technica,2023年 15月SiC车型超100万辆。 从行业趋势看,SiC上车是大势所趋。 特斯拉曾在2023年3月初的投资者大会上表示,将减少75%的SiC用量,一度引发SiC未来 发展前景不明的猜测,但近期全球汽车市场却用实际行动表达了对SiC的支持,如全球第四大汽车 SiC行业深度报告:SiC东风已来腾讯新闻

  • 双面研磨机与单面磨床工作原理区别 知乎

    2021年12月21日  双面研磨机工作原理84100双面研磨机上、下研磨盘作相反方向转动,工件在载体内作既公转又自转的游星运动。磨削阻力小不损伤工件,而且两面均匀磨削生产效率高。有光栅厚度控制系统,加工后的产品厚度公差可控制。2022年4月20日  晶圆制造工艺的晶圆加工是用蜡将晶圆固定在圆形陶瓷块上,称为搭接表面板。研磨法是一种在圆形的表面板上浇注研磨剂,将表面板与晶圆表面摩擦在一起,调整厚度、平行度、表面粗糙度的加工方法。一般研磨后的晶圆,加工损伤层为10~15µm左右。详解硅片的研磨、抛光和清洗技术 今日头条 电子发烧友网2020年6月3日  1一种钼晶圆片的磨抛方法,其特征在于,包括以下步骤: 将工装安装到双面研磨装置中,并将待磨抛钼晶圆片置于工装的装夹孔内,采用双面研磨装置对待磨抛钼晶圆片进行双面磨抛;所述工装的厚度小于钼晶圆片的目标厚度。 2根据权利要求1所述的磨抛 一种钼晶圆片的磨抛方法 CNA 专利顾如

  • 半导体工艺(一)晶圆制造 三星半导体官网 Samsung

    2022年2月11日  和平坦区晶圆相比,凹槽晶圆可以制造更多的晶粒,因此效率很高。 半导体产业包括生产晶圆的晶圆产业以及以晶圆为材料设计和制造的晶圆加工产业——制造行业 (Fabrication, FAB)。另外,还有组装产业,它将 加工过的晶圆切割成晶粒,并包装好以防止受潮 2021年9月3日  半导体设备之CMP 国产装备已经在国内CMP市场占据重要份额。 晶圆制造过程主要包括7个相互独立的工艺流程:光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化。 作为晶圆制造的关键制程工艺之一,化学机械抛光 (CMP)指的是通过化学腐 半导体设备之CMP 知乎2021年9月24日  特 点 1. 本系列研磨机的上、下研磨盘可进行自动修盘。 2. 采用四个电机同步拖动,变速范围更广,运动精度更高,响应速度更快,能适应不同研磨材料及研磨工艺的要求,实现了软启动、软停止,调速稳定,冲击小。 3. 修面机采用伺服马达驱动,能 FD9BL双面研磨机(带修面) 双面研磨机系列 方达研磨设备厂家

  • 双面研磨机谁懂? 知乎

    2022年3月7日  双面研磨机设备介绍 优点: 双面研磨机具有许多优点,包括: 高精度:能够实现极高的加工精度,通常在亚微米级别。高生产效率:能够同时磨削工件的两个面,提高了生产效率。一致性:通过数控系统的精确控制,确保每个工件的端面一致性。2022年8月7日  对于晶圆减薄工艺做部分补充,这里主要针对的是晶圆背面减薄工艺部分。为什么要减薄?在后道制程阶段,晶圆(正面已布好电路的硅片)在后续划片、压焊和封装之前需要进行背面减薄(backthinning)加工以降低封装贴装高度,减小芯片封装体积,改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及 半导体工艺晶圆减薄工艺 知乎2020年8月19日  自动化控制设备通过专用药剂可在十几秒到两内达到电镀镜面效果,大大提高了生产效率 ;5 抛光质量好 自动化控制设备抛光出的产品具有高品质,精度控制极高,尺寸影响小,抛光均匀,使整个工件表面和死角部位都可以达到一致的镜面 【干货】四大抛光工艺优劣势对比,你了解多少? 知乎专栏

  • 晶圆背面研磨(Back Grinding)工艺简介 知乎

    2023年5月25日  经过前端工艺处理并通过晶圆测试的晶圆将从背面研磨(Back Grinding)开始后端处理。 背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序,其目的不仅是为了减少晶圆厚度,还在于联结前端和后端工艺以解决前后两个工艺之间出现的问题。 半导体芯片(Chip)越薄,就能 2021年8月30日  对CMP设备而言,其产业化关键指标包括工艺一致性、生产效率、可靠性等,CMP 设备的主要检测参数包括研磨速率、研磨均匀性和缺陷量。 (1)研磨速率:单位时间内晶圆表面材料被研磨的总量。 (2)研磨均匀性:分为片内均匀性和片间均匀性。央财智库:半导体设备行业专题报告,CMP,“小而美”,国产 2021年8月24日  对CMP设备而言,其产业化关键指标包括工艺一致性、生产效率、可靠性等,CMP 设备的主要检测参数包括研磨速率、研磨均匀性和缺陷量。(1)研磨速率:单位时间内晶圆表面材料被研磨的总量。(2)研磨均匀性:分为片内均匀性和片间均匀性。半导体设备行业专题报告:CMP,“小而美”,国产装备崛起

  • 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎

    2021年12月16日  针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。 1、背景与意义 作为半导体产业中的衬底材料,碳化硅单晶具有优