产品世界

--我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

5X系列欧版智能磨粉机

全稀油润滑系统锥齿轮整体传动系统

CM欧式粗粉磨机

破碎式磨粉机成品粒度均匀投资低易管理维修快使用久

LM立式辊磨机

磨辊轴稀油润滑制粉与烘干二合一

LUM超细立式磨粉机

料层粉磨原理+多轮选粉原理

MTW系列欧版磨粉机(专利产品)

锥齿轮整体传动内部稀油润滑系统

MW环辊微粉磨

集成度高费用低功耗低更节能磨耗小成品质优优化工作模式

T130X超细磨

品质优良、性能稳定、运行可靠

超压梯形磨粉机

梯形工作面柔性连接磨辊联动增压

高压悬辊磨粉机

高压弹簧装置重叠多级密封粒度范围广恒定碾压力

雷蒙磨粉机（R摆式磨粉机）

自成体系铸件精良性能稳定无人作业

球磨机

应用广泛维护方便性价比高

产品系列完备，打通粗碎、中碎、细碎和超细碎作业

C6X系列颚式破碎机

可拆装无焊接结构机架双楔块调整装置

CI5X系列反击式破碎机

高精度转子多功能全液压操作系统

CS弹簧圆锥破碎机

层压破碎高摆频优化腔型

HGT旋回式破碎机

高破碎能力长使用周期简单易操作自动化控制

HJ系列颚式破碎机

低投入、高产出、低消耗、高效率

HPT液压圆锥破碎机

效率高产量高品质高更稳定

HST单缸液压圆锥破碎机

层压破碎成品粒型好全自动控制系统

PEW欧版颚式破碎机

整体铸钢轴承座承载能力和可靠性高

PE颚式破碎机

优化型深腔破碎破碎能力强

PFW欧版反击式破碎机

重型转子整体式铸钢轴承座稳定可靠

PF反击式破碎机

破碎功能全生产效率高

PY弹簧圆锥破碎机

成品粒度均匀干油和水两种密封方式

K3系列轮式移动生产线

处理能力强大，日产饱满全系车载电控系统

McCloskey履带破碎筛分设备

液压控制品牌部件节能降耗创新设计

NK系列移动站

为客户提供系统、灵活的模块化解决方案

粗碎移动破碎站

破碎比大有效可靠

VSI家族与VU骨料优化系统共担精品机制砂制备重任

独立工作的组合移动站

九种配置颚式破碎机和六种反击式破碎机，成品粒形好

履带式移动破碎站

全液压驱动功能齐全转场灵活

三组合移动站

既可独立完成客户生产石料的需求，也可作联机作业的粗破使用

四组合移动站

根据粗碎、中碎、细碎的需要独立组合，经济适用

细碎洗砂移动站

两台配备VSI系列和5X系列反击式破碎机和四台高性能细腔圆锥破碎机

细碎整形筛分移动站

是人工制砂、石料整形领域的理想设备，可使破碎产品的级配合理

中细碎筛分移动站

配备大容量、稳定可靠的液压圆锥破碎机

5X系列离心冲击式破碎机

兼具整形与破碎磨损率低利用率高

VSI6X系列立轴冲击式破碎机

四口叶轮设计特殊密封防漏油工艺

VSI制砂机（冲击式破碎机）

一机多用稀油润滑自循环系统

VUS砂石同出系统

砂粒饱满圆润可调控效率高环保指标达标自动化程度高

VU骨料优化系统

浑然天成的干法制砂工艺

XSD系列洗砂机

处理量大洗净率高故障率低可靠耐用

应用领域

石灰石
脱硫制备

01

混凝土
矿粉加工

02

矿物
磨粉加工

03

重质碳酸钙
石灰粉磨

04

清洁
煤粉制备

05

精品物料

mos管无法关断

2022-05-02T14:05:15+00:00

MOSFET不会被关断信号关断。我怎么解决这个问题? 东芝

2023年11月29日关于MOSFET驱动，请参考 “MOSFET栅极驱动电路：功率MOSFET应用说明” 返回MOSFET／双极晶体管／IGBT相关FAQ MOSFET不会被关断信号关断。我 2015年11月20日 LZ的设计中，希望在I/O P21高电平（外部上拉）时关断MOS管，但此时MOS管上 Vgs压降还是有09V以上，对于很多型号来说，并不能完全关断。最简单的办 P沟道mos管控制电源时，不能完全关断 (amobbs 阿莫 2019年4月29日驱动能力太小，即使电压很高，依然无法驱动开通MOS管。这时候需要在PWM电路之后接PWM驱动电路，再来控制功率mosfet。这个PWM应该是具有负脉冲，可以快速关断MOS管。 MOS管的加速关断原浅析MOS管如何快速关断背后的秘密（转）知乎专栏

MOS管损坏之谜，看完后疑惑终于解开了！知乎

2023年8月3日 MOS管在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。 MOS管烧坏的原因 2018年3月27日 MOS管加速关断电路，也称为MOSFET驱动电路，用于快速关闭MOS管的电路。这种电路通常用于需要快速切断高电压或高电流的应用中，以避免 MOS管过载 MOS管不能关断的原因！！！CSDN博客2016年12月18日关注使用 MOS管时遇到一个问题。电路中就是用MCU的一个输出控制MOS管的通、断，用作外部模块的电源开关。用的是P沟道的MOS管，ZETEX MOS管不能完全关断，是什么原因百度知道

MOS管不能关断的原因！！！只因在风中博客园

2018年3月27日 P型mos : AO3401 中间出现了不能关断的症状，也在百度上找过答案，发现大家都觉得是电路问题，我一开始也认为是电路问题，经过反复折腾，发现问题不是 2021年9月10日与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。由此我们可以知道，如果想在更短的时间内把GS电压拉 MOS管驱动电路设计，如何让MOS管快速开启和关闭？知乎2021年9月10日怎么做到MOS管的快速开启和关闭呢？对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。MOS管驱动电路设计，如何让MOS管快速开启和关闭？知乎

MOS管开关时电压电流波形的问题？知乎

2017年11月4日关断过程和开启过程类似，也会有Miller plateau效应。我们可以看到，如果如果MOS管开启时VDS上有原始电压，那么MOS开启过程中就会有Ids和Vds的重叠，那么会带来Switching Loss。由于Coss上的 2023年1月17日二、MOSFET关断过程 MOSFET关断过程是开通过程的反过程。如上图示意二、弄懂mosfet的导通过程和损耗分析 MOS管在平时的电源电路和驱动电路的设计中使用非常广泛，只有深入了解其工作原理和 MOSFET导通、关断过程详细分析、损耗分析、米勒效 2013年10月29日 MOS管的完全关断很不容易，你这样肯定不行，形式上关断后，漏电流足够点亮LED了。如果想比较好的关断，需要用到负电压。追问问题是，断开管脚。断开VCC。过一会后，通VCC仍然能亮。重复多次依然。接过负电压，也接过低电压。还是 mos管如何关断？百度知道

如何解决单片机中无法使用控制MOS管的开关的问题知乎

2022年4月22日首先，我们认为MOS管是电压控制型器件，其正常工作时是不需要电流的 (开或关的稳态条件下)，只要有维持电压，MOS管即可保持开启或关闭状态。控制电压是作用在G极和S极的。先在多数MOS管开启的阈值电压都比较低，拿常用的AO3400来讲，其开 2022年8月25日 G极设计问题这种幼稚的问题，我才不会发出来呢，PMOS不能完全关断的问题发生的条件就是PMOS的G极关断，但是S极完全悬空的情况下，这时候S极就会有虚电，大概的电压的话是D极的一半多一点，多发生在大电流PMOS管下，小电流的PMOS管暂时没看见，解决的办法的怎么解决PMOS不能关断问题电子发烧友网2021年9月1日以常见的MOS管开关电路为例，在t0~t1时间段内，Vgs小于阈值电压Vgs(th)时，MOS管处于截止区关断，漏极电流Id=0，漏源极电压差Vds为输入电压Vin。在t1~t2时间段内，随着Vgs从阈值电压Vgs(th)逐渐增大至米勒平台电压Vp，电流Id从0开始逐渐增大至较大值，MOS管开始导通，并进入恒流区（饱和区）。一文弄懂MOS管的导通过程和损耗分析知乎

SiC MOSFET 短路保护技术综述知乎

2022年5月24日传统短路软关断策略不能权衡关断损耗和关断过电压之间关系，很可能造成SiC MOSFET在软关断过程中发生热逃逸或栅极失效。因此，权衡关断损耗和过电压的 SiC MOSFET 短路关断策略也将是未来研究课题之一。来源：电工技术学报第 37 卷第 10 期2023年8月7日 3、驱动电路加速MOS管的关断在关断的瞬间，驱动电路可以提供尽可能低阻抗的通路，使MOSFET的栅极和源极之间的电容快速放电，保证开关管可以快速关断。为了保证栅源极间电容C2的快速放电，在Rg1上并联了一个Rg2和一个二极管D1。mos管栅极反并二极管为了加速关断，为什么不需要加速开通 2021年9月8日 MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用 MOS管驱动电路！讲得很不错！【转】 cuiz的分享站博客园

用MOS管构成H桥的心得mos管h桥CSDN博客

2022年8月22日驱动电路中通常要用硬件电路当地控制开关，电机驱动板主要采用两种驱动芯片，一种是全桥驱动HIP4082，一种是半桥驱动IR2104，半桥电路是两个MOS管组成的振荡，全桥电路是四个MOS管 2021年12月27日目录一、MOS管的特性曲线二、MOS管的开通过程三、MOS管的关断过程四、几点结论一、MOS管的特性曲线从转移特性曲线可以看出：当Vgs上升到Vth时，MOS管开始导通电流。从输出特性曲线简记详解MOSFET的开通及关断过程mos关断过程 2020年8月18日驱动能力太小，即使电压很高，依然无法驱动开通MOS管。这时候需要在PWM电路之后接PWM驱动电路，再来控制功率mosfet。这个PWM应该是具有负脉冲，可以快速关断MOS管。 MOS管的加速关断原理还有就是R4的作用也搞不懂没。看来楼不太清楚三极管的原理了经典场效应管如何快速关断技巧KIA MOS管pmos无法完全关

电源设计经验之MOS管驱动电路篇知乎

2018年6月4日图3加速MOS关断关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如图3所示，其中D1常用的是快恢复二 2019年10月12日本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线，来理解其开通关断的过程，以及MOSFET在开关过程中所处小科普｜功率MOSFET的开通和关断过程知乎2021年12月16日开关电源作为电子产品的“心脏”，发挥着提供动力的作用。今天让我们一起来认识下有效导通关断NMOS管的“窍门”。 NMOS管的主回路电流方向为D极到S极，导通条件为VGS有一定的压差，即VGVS》VTH；PMOS管的主回路电流方向为S极到G极，导通条件为VSG有一定的压差，即VSVG》VTH。有效导通关断NMOS管的“窍门”电子发烧友网

MULTISIM仿真具有光耦隔离的PMOS管驱动电路设计

2023年5月24日 MOS管的开通和关断其实就是对Cgs充放电的过程。开启时通过栅极R1 电阻对Cgs充电，充电时间常数=R1*Cgs。所以R1较大的话，时间常数就大了，这样如果频率很高的话，在脉宽的时间内管子很可能无法正常导通，或者输出波形严重畸变 2015年4月17日但是GPIO输出1时，MOS不能完全关断，特别是VBAT是42V时，更是不能关断，求如何增加最少元器件，比如1个三极管或者1个MOS 之类解决此问题。本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x 阿莫论坛20周年了！感谢大家的 PMOS不能完全关断，求助如何解决，有原理图阿莫电子论坛2022年5月13日 4、驱动电路加速MOS管关断时间为了满足如图 5所示高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动，有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯 MOS开关设计原理与使用方法知乎

从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（四）知乎

2021年9月17日但是MOSFET在开通过程中，必须要经过这个放大区，只不过这个放大区功耗特别的大，所以就需要这个放大区的时间就要特别的短。MOSFET在这个区域特别危险，坏的最多。三极管和MOSFET从关断到 2021年1月12日用示波器测量GS电压，可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑，这就是米勒平台。米勒平台形成的详细过程米勒效应指在MOS管开通过程会产生米勒平台，原理如下。理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时 MOS管开关时的米勒效应知乎2020年12月10日这个参数是 mos 管选择时至关重要的参数之一，必须考虑清楚。 Mos 管用于控制大电流通断，经常被要求数十 K 乃至数 M 的开关频率，在这种用途中，栅极信号具有交流特征，频率越高，交流成分越大，寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流，形成栅关于MOS管那些事儿知乎

工程师必看！4种常见的MOS管栅极驱动电路，你用过几个？

2023年7月24日 03 驱动电路加速MOS管的关断在关断的瞬间，驱动电路可以提供尽可能低阻抗的通路，使MOSFET的栅极和源极之间的电容快速放电，保证开关管可以快速关断。为了保证栅源极间电容C2的快速放电，在Rg1上并联了一个Rg2和一个二极管D1。2017年12月10日如果你的电源电平是5V的话，当你的芯片是stm芯片的时候，芯片引脚是高电平的时候才33V，这其中有压差，mos管没法彻底关掉可能是高电平电压不够高吧把这个脚用大电阻接到vcc，然后用一个二极管接到单片机的驱动脚，这样低电平会拉低高电平会场效应管彻底关断问题CSDN社区2022年12月30日因此，即便驱动电路试图关断半桥下管的MOSFET，即驱动电路将栅极和源极间的电压置为0(UGS=0V) ，但由于漏源电压发生变化，且分压线路包含米勒电容(CGD)和栅源电容，所以MOSFET仍然有导通的风险。电容分压器是最快的分压器，对漏源之 MOSFET干货如何避免功率MOSFET发生寄生导通? 知乎

【硬件】如何使用MOS管作为开关控制？如何看懂参数

2023年11月18日三极管和MOS管都是很常用的电子元器件，两者都可以作为电子开关管使用，而且很多场合两者都是可以互换使用的。三极管和MOS管作为开关管时，有很多相似之处，也有不同之处，那么在电路设计时，两者之间该如何选择呢？三极管有NPN型和PNP 2021年9月18日 MOS管只要满足G、S间的电压关系，就能让电流通过，电流可正可反，但由于内部有寄生二极管，接反会导致不能关断，所以实际使用时只有一个方向能关断；而三极管的电流只能有一个流向，NPN型的只能从集电极C流向发射极E，PNP的只能从发射极E流向【模电】0004 MOS管应用分析mos管题目CSDN博客2023年3月22日图 4：功率MOS管关断电路图5(a)为在不正确的设计时快速关断的波形，器件在快关断过程中失效，失效时其电压尖峰为68V，失效后电流不能回零，其失效根本原因是关断太快。图6(b)为使用正确的设计、放电电阻为1K时的慢速关断波形，MOSFET的关断时间【经验】BMS应用笔记：详解功率MOS管世强硬创平台

MOS管当开关控制时，一般用PMOS做上管NMOS做下管知乎

2019年12月10日下面先了解MOS管的开通/关断原切换模式写文章登录/注册 MOS管当开关控制时，一般用PMOS做上管NMOS做下管，只需将G极电压固定值6V即可导通；若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电 2023年5月27日 2、提供固定偏置，在前级电路开路时，这个的电阻可以保证MOS有效的关断（理由：G极开路，当电压加在DS端时候，会对Cgd充电，导致G极电压升高，不能有效关断） GS端电阻阻值选择：建议是一般取5K至数10K左右，太大影响 MOS 管的关断速度。全面认识MOS管，一篇文章就够了 CSDN博客2023年3月27日文章浏览阅读75k次，点赞3次，收藏22次。然而，大电阻关断在抑制关断过电压的同时也致使关断延迟时间增大，导致SiCMOSFET不能及时关断，为此，在关断过程中采用不同栅极电阻关断SiCMOSFET SiC MOSFET的短路特性及保护mosfet短路CSDN博客

pmos管做开关，关闭状态下s到d会通过寄生二极管导

2020年7月24日 PMOS做开关时，确实会有概率遇到开关虽然是关闭的，但是MOS确实开通的，这是由于寄生电容所导致的。不是楼主说的体二极管 (Body Diode)，否则就是方向接错了。我们在使用PMOS做开关 2023年2月17日过压/过流：MOS管的额定电压和电流值必须严格遵守，如果电压或电流超过其额定值，就会导致MOS管烧掉。静电放电：静电放电可以在MOS管的引脚或其他金属表面产生高电压脉冲，这可能导致MOS管损坏或烧掉。过热：如果MOS管长时间运行在过高的温度下，也会 mos管烧掉是什么原因？知乎2018年3月27日 P型mos : AO3401 中间出现了不能关断的症状，也在百度上找过答案，发现大家都觉得是电路问题，我一开始也认为是电路问题，经过反复折腾，发现问题不是出在电路，是焊接，这些管子特别脆弱，一搞就容易挂，= =！，写一篇随笔总结，出现同样问题 MOS管不能关断的原因！！！只因在风中博客园

MOS关断时的漏电流 CSDN

2013年11月1日 MOS管在高频开关的过程中，在关断瞬间会承受一定的电压尖峰，该电压尖峰的大小与PCB板上的寄生电感、滤波电容大小及位置、MOS管关断时的速度等参数有关。在设计MOS管驱动电路、Layout PCB时都需要注意，需要尽量减小电压尖峰。2021年6月8日 Mos管是有增强型和耗尽型之分的： Vt＞0时，称为增强型，为常关型，零栅压时无导电沟道。 Vt＜0时，称为耗尽型，为常开型，零栅压时有导电沟道。MOS管的通断过程 1、Mos管的寄生电容 Mos管的漏、源、栅极间都有寄生电容，分别为Cds、Cgd、Cgs。MOS管的通断过程你都理解透了吗？知乎专栏2018年11月13日你也知道MOS管是电压驱动型的,所以,很多时候它是比较容易坏的,加个限流电阻要相对安全很多特别是PMOS管,输出接的是容性或者感性负载的时候,如果是单片机先断电,电压会加在单片机的IO上,有的单片机是这样子的:单片机没有上电的时候,你是不能给IO加电压,输出会击穿的PMOS开关电路不能完全关断？ 24小时必答区单片机教程网

从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（一）知乎

2021年9月17日不积跬步，无以至千里学海无涯：从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（三）学海无涯：从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（二） MOSFET又叫场效应晶体管，那么如何去学好MOS管呢？大家都对三极管有了解了，已经弄明白了。实际上，要想学好MOS管，首先我们要对标三 2023年2月20日 MOSFET 有以下特点： a、由于MOSFET 是电压驱动器件，因此无直流电流流入栅极。 b、要开通MOSFET，必须对栅极施加高于额定栅极阈值电压Vth的电压。 c、处于稳态开启或关断状态时，MOSFET栅极驱动基本无功耗。 d、通过驱动器输出看到的 MOSFET栅源电容根据其内部 MOSFET栅极驱动电路应用说明知乎2021年9月10日怎么做到MOS管的快速开启和关闭呢？对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。MOS管驱动电路设计，如何让MOS管快速开启和关闭？知乎